第3世代の半導体電源装置のEBSDサンプルの準備
第3世代の半導体電力装置は、主に炭化シリコン(SIC)や窒化ガリウム(GAN)などの広帯域半導体材料に基づいて製造されており、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、大きなバンドギャップ幅、高分解電界強度、高速電子飽和速度などの有利な利点があります。これらの特性により、第3世代の半導体電力装置は、高温、高電圧、高周波などの極端な条件下で安定して動作し...
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Jul.10.2025